| รหัส / code | คำอธิบาย / code name | Version |
| H01L0021336000 | with an insulated gate | 1 |
| H01L0021337000 | with a PN junction gate | 1 |
| H01L0021338000 | with a Schottky gate | 1 |
| H01L0021339000 | Charge transfer devices | 1 |
| H01L0021340000 | the devices having semiconductor bodies not provided for in groups ; H01L0021060000, H01L0021160000, and H01L0021180000; with or without impurities, e.g. doping materials | 1 |
| H01L0021360000 | Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth | 1 |
| H01L0021363000 | using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering | 1 |
| H01L0021365000 | using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition | 1 |
| H01L0021368000 | using liquid deposition | 1 |
| H01L0021380000 | Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions | 1 |
| H01L0021383000 | using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase | 1 |
| H01L0021385000 | using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer | 1 |
| H01L0021388000 | using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes | 1 |
| H01L0021400000 | Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body | 1 |
| H01L0021420000 | Bombardment with radiation | 1 |
มาตรฐานข้อมูลกระทรวงพาณิชย์ การจัดทำมาตรฐานข้อมูลกระทรวงพาณิชย์ ซึ่งดำเนินการตามกรอบแนวทางการเชื่อมโยงรัฐบาลอิเล็กทรอนิกส์แห่งชาติ หรือ TH e-GIF โดยมีวัตถุประสงค์เพื่อให้จัดทำมาตรฐานข้อมูลด้านการพาณิชย์ให้สามารถใช้งานร่วมกันได้ทั้งหน่วยงานภายในกระทรวงพาณิชย์และหน่วยงานภายนอก สามารถบูรณาการเชื่อมโยงแลกเปลี่ยนข้อมูลระหว่างกันได้อย่างมีประสิทธิภาพ และไม่ส่งผลกระทบต่อกระบวนการทำงาน/ข้อมูลของระบบงานต่างๆ ที่หน่วยงานมีอยู่ในปัจจุบัน โดยมีเป้าหมายที่ประชาชนหรือผู้รับบริการเป็นศูนย์กลางการให้บริการ