| รหัส / code | คำอธิบาย / code name | Version |
| H01S0005125000 | Distributed Bragg reflector [DBR] lasers | 1 |
| H01S0005140000 | External cavity lasers (H01S0005180000 takes precedence;mode locking H01S0005065000) | 1 |
| H01S0005160000 | Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface (H01S0005140000 takes precedence);; | 1 |
| H01S0005180000 | Surface-emitting [SE] lasers | 1 |
| H01S0005183000 | having a vertical cavity [VCSE-lasers] | 1 |
| H01S0005187000 | using a distributed Bragg reflector [SE-DBR-lasers] (H01S0005183000Â takes precedence);; | 1 |
| H01S0005200000 | Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave | 1 |
| H01S0005220000 | having a ridge or a stripe structure | 1 |
| H01S0005223000 | Buried stripe structure (H01S0005227000 takes precedence);; | 1 |
| H01S0005227000 | Buried mesa structure | 1 |
| H01S0005240000 | having a grooved structure, e.g. V-grooved | 1 |
| H01S0005300000 | Structure or shape of the active region; Materials used for the active region | 1 |
| H01S0005320000 | comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- hetero-structures (H01S0005340000, H01S0005360000 take precedence);; | 1 |
| H01S0005323000 | in A; IIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser | 1 |
| H01S0005327000 | in A; IIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser | 1 |
มาตรฐานข้อมูลกระทรวงพาณิชย์ การจัดทำมาตรฐานข้อมูลกระทรวงพาณิชย์ ซึ่งดำเนินการตามกรอบแนวทางการเชื่อมโยงรัฐบาลอิเล็กทรอนิกส์แห่งชาติ หรือ TH e-GIF โดยมีวัตถุประสงค์เพื่อให้จัดทำมาตรฐานข้อมูลด้านการพาณิชย์ให้สามารถใช้งานร่วมกันได้ทั้งหน่วยงานภายในกระทรวงพาณิชย์และหน่วยงานภายนอก สามารถบูรณาการเชื่อมโยงแลกเปลี่ยนข้อมูลระหว่างกันได้อย่างมีประสิทธิภาพ และไม่ส่งผลกระทบต่อกระบวนการทำงาน/ข้อมูลของระบบงานต่างๆ ที่หน่วยงานมีอยู่ในปัจจุบัน โดยมีเป้าหมายที่ประชาชนหรือผู้รับบริการเป็นศูนย์กลางการให้บริการ