| รหัส / code | คำอธิบาย / code name | Version |
| H01L0029780000 | with field effect produced by an insulated gate | 1 |
| H01L0029786000 | Thin-film transistors | 1 |
| H01L0029788000 | with floating gate | 1 |
| H01L0029792000 | with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistor | 1 |
| H01L0029800000 | with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate | 1 |
| H01L0029808000 | with a PN junction gate | 1 |
| H01L0029812000 | with a Schottky gate | 1 |
| H01L0029820000 | controllable by variation of the magnetic field applied to the device (H01L0029960000 takes precedence);; | 1 |
| H01L0029840000 | controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure (H01L0029960000 takes precedence);; | 1 |
| H01L0029860000 | controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated, or switched (H01L0029960000 takes precedence);; | 1 |
| H01L0029860500 | Resistors with PN junction | 1 |
| H01L0029861000 | Diodes | 1 |
| H01L0029862000 | Point contact diodes | 1 |
| H01L0029864000 | Transit-time diodes, e.g. IMPATT, TRAPATT diodes | 1 |
| H01L0029866000 | Zener diodes | 1 |
มาตรฐานข้อมูลกระทรวงพาณิชย์ การจัดทำมาตรฐานข้อมูลกระทรวงพาณิชย์ ซึ่งดำเนินการตามกรอบแนวทางการเชื่อมโยงรัฐบาลอิเล็กทรอนิกส์แห่งชาติ หรือ TH e-GIF โดยมีวัตถุประสงค์เพื่อให้จัดทำมาตรฐานข้อมูลด้านการพาณิชย์ให้สามารถใช้งานร่วมกันได้ทั้งหน่วยงานภายในกระทรวงพาณิชย์และหน่วยงานภายนอก สามารถบูรณาการเชื่อมโยงแลกเปลี่ยนข้อมูลระหว่างกันได้อย่างมีประสิทธิภาพ และไม่ส่งผลกระทบต่อกระบวนการทำงาน/ข้อมูลของระบบงานต่างๆ ที่หน่วยงานมีอยู่ในปัจจุบัน โดยมีเป้าหมายที่ประชาชนหรือผู้รับบริการเป็นศูนย์กลางการให้บริการ